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厲害，中國首臺(tái)10納米光刻機(jī)問世

來源：成都新德南光機(jī)械設(shè)備有限公司 | 發(fā)布時(shí)間：2019-04-20 |

據(jù)快資訊11月29日消息稱， 由中科院，光電技術(shù)研究所主導(dǎo)研發(fā)的“超分辨光刻裝備項(xiàng)目”在四川成都通過了技術(shù)驗(yàn)收，該光刻設(shè)備分辨力達(dá)到22納米，經(jīng)過多重曝光技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)10納米以下制程的芯片制造。消息傳出后， 有臺(tái)灣網(wǎng)友在臉書上表示：“臺(tái)灣是全球半導(dǎo)體制造的中心，臺(tái)積電的芯片制造技術(shù)要比大陸先進(jìn)，臺(tái)灣如果要研發(fā)，是絕對(duì)有實(shí)力的！” 

該光刻機(jī)裝備成本遠(yuǎn)低于荷蘭的ASML，光電所的黑科技貢獻(xiàn)巨大！我們知道歐洲荷蘭的ASML公司，是世界上最先進(jìn)的光刻機(jī)生產(chǎn)商。其最新研發(fā)的第五代光刻機(jī)，可用于實(shí)現(xiàn)20納米以下制程，比如14納米，10納米和7納米制程的芯片生產(chǎn)，在業(yè)界遙遙領(lǐng)先于同行。 它使用的是只有13.5納米波長的極紫外光（EUV）。由于使用了極高分辨力的紫外光，就需要更精密靈敏的裝備硬件，因此，裝備成本也會(huì)大大提 高。 而中國的這臺(tái)光刻機(jī)采用的365納米波長光源，單次曝光可以達(dá)到22納米，利用多重曝光技術(shù)即可實(shí)現(xiàn)10納米以下制程芯片的制造。 
光刻機(jī)的超分辨光刻鏡頭由于它使用的波長更長，是普通的紫外線光，裝備的制造成本也相應(yīng)降低。這意味著它會(huì)在全球市場(chǎng)上，具有更強(qiáng)的競(jìng)爭力。我國的驗(yàn)收專家認(rèn)為，此次的研發(fā)項(xiàng)目打破了傳統(tǒng)光學(xué)光刻分辨力受限于光源波長限制的格局，從原理上突破分辨力衍射的極限，繞過了國外的高分辨光刻技術(shù)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)壁壘，為我國在光刻機(jī)技術(shù)領(lǐng)域探索出了一條新道路。而作為光刻機(jī)最核心技術(shù)的提供者，中國光電技術(shù)研究所自然功不可沒！


臺(tái)網(wǎng)友稱：臺(tái)灣是全球先進(jìn)的半導(dǎo)體制造中心，我們也能造出光刻機(jī)。大陸的光刻機(jī)裝備宣布獲得成功后，有臺(tái)灣網(wǎng)友在臉書上評(píng)論稱：“臺(tái)灣一直以來都是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造中心，而且 臺(tái)積電的芯片制造技術(shù)領(lǐng)先于大陸，臺(tái)灣對(duì)于芯片制造的了解更強(qiáng)于大陸。所以臺(tái)灣要決心制造光刻機(jī)，是絕對(duì)有技術(shù)實(shí)力的?！睙o可否認(rèn)，臺(tái)灣是最先從事半導(dǎo)體制造行業(yè)的地區(qū)，大陸是后發(fā)追趕者。然而，經(jīng)過短短十多年的發(fā)展，大陸已經(jīng)在半導(dǎo)體芯片，屏幕，儲(chǔ)存等等領(lǐng)域呈現(xiàn)出反超臺(tái)灣的局面，臺(tái)灣人的自我封閉和夜郎自大，讓臺(tái)灣的半導(dǎo)體科技，嚴(yán)重落后于同時(shí)起步的日韓。 
荷蘭ASML公司生產(chǎn)的光刻機(jī)臺(tái)灣能拿出臺(tái)面的科技企業(yè)只有臺(tái)積電，但臺(tái)積電所謂的芯片先進(jìn)制程，只是依賴于荷蘭ASML公司光刻技術(shù)的進(jìn)步。而大陸直接從光刻機(jī)裝備入手，不僅能解決芯片制造對(duì)外依賴的問題，還能在先進(jìn)芯片制程技術(shù)上與荷蘭ASML公司一較高低。這是臺(tái)積電無法做到的。我國該光刻機(jī)項(xiàng)目的突破，讓光刻機(jī)裝備的白菜價(jià)成為可能，臺(tái)積電未來也只能采購大陸的光刻機(jī)（臺(tái)積電已有采購大陸制造的蝕刻機(jī)），它遲早會(huì)知道，一個(gè)企業(yè)如果沒有掌握核心的裝備技術(shù)，它的好景也不會(huì)太長。